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BSS169I 发布时间 时间:2025/4/30 13:35:17 查看 阅读:5

BSS169I是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件常用于低功率开关应用和信号处理领域。其设计适用于需要低漏电流、高开关速度以及稳定性能的电路。BSS169I具有较小的封装尺寸,通常采用SOT-23封装形式,适合紧凑型设计需求。
  BSS169I的工作电压范围较宽,能够在多种电子系统中实现高效运行,例如电源管理、负载开关控制以及其他低功耗应用。由于其优异的电气特性,它成为许多便携式设备和消费类电子产品中的理想选择。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:100mA
  导通电阻(典型值):5.5Ω
  栅极电荷:1nC
  总功耗(TA=25℃):370mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BSS169I的主要特点包括:
  1. 极低的输入电容和输出电容,确保了快速开关能力。
  2. 具备优秀的导通电阻性能,在小电流下表现尤为突出。
  3. 提供较高的击穿电压,增强了在高压环境下的可靠性。
  4. 热稳定性强,能够在广泛的温度范围内保持一致的性能。
  5. SOT-23小型化封装使得其非常适合空间受限的设计场景。
  6. 高度可靠,能够承受多次开关循环而不会显著退化。

应用

BSS169I广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电池供电设备中的负载开关。
  3. 数据通信接口保护电路。
  4. 消费类电子产品中的信号切换。
  5. 低功耗音频放大器中的开关元件。
  6. 各种工业控制系统的逻辑电平驱动。
  7. 可编程逻辑控制器(PLC)中的隔离信号处理。

替代型号

BSS138,BSS84,2N7002

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