时间：2025/5/24 22:03:46
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CDR31BP360BKZPAT是一款高性能的功率MOSFET器件，采用TO-263封装形式。该器件主要适用于高效率开关电源、电机驱动器和DC/DC转换器等应用领域。其设计具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和快速开关速度的特点，可有效降低功耗并提升系统性能。
该功率MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，能够承受较高的漏源电压（Vds），同时具备出色的热稳定性和可靠性，适用于各种工业及消费类电子设备中。
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：360mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：27W
工作温度范围：-55℃至+150℃
CDR31BP360BKZPAT具有以下显著特性：
1. 低导通电阻设计，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用场景。
3. 高击穿电压能力，确保在高压条件下也能可靠运行。
4. 优化的热性能，允许更高的功率密度。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺。
6. 可靠性经过严格测试，满足长期使用需求。
该功率MOSFET适用于多种电力电子场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC/DC转换器中的同步整流或降压升压电路。
3. 电机驱动器中的H桥或半桥拓扑。
4. 太阳能逆变器中的功率级控制。
5. 各种工业自动化和家电控制模块中的负载切换功能。
6. 过流保护和短路保护电路中的关键元件。
IRF840, STP16NF06L, FDP16N60C
