CDR04BX184AKUM是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信、基站放大器以及其他高频应用设计。该器件采用先进的硅双极型晶体管(Si Bipolar Transistor)技术制造,具备高增益、高线性度和高效率的特点,适用于要求苛刻的射频功率放大场景。
该型号属于Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)的产品系列,广泛用于多载波功率放大器(MCPA)、蜂窝通信系统以及工业科学医疗(ISM)频段的应用。
最大集电极-发射极电压:50V
最大集电极电流:2.6A
额定输出功率:43dBm
工作频率范围:50MHz至1000MHz
增益:17dB
封装类型:FLATPACK
热阻(结到壳):1.2°C/W
典型效率:55%
CDR04BX184AKUM采用了优化的射频功率晶体管设计,具有以下显著特点:
1. 高输出功率和高效率,在满足通信设备对功率需求的同时降低功耗。
2. 高线性度,支持复杂的调制信号处理,如WCDMA和OFDM等现代通信标准。
3. 宽带性能,可在较宽的频率范围内提供稳定的增益和功率输出。
4. 内置匹配网络,简化了外部电路设计,提高了整体系统的集成度。
5. 优秀的散热性能,确保在高温环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代化生产流程。
这款射频功率晶体管主要应用于以下领域:
1. 蜂窝基站放大器,支持多种通信标准(如GSM、CDMA、WCDMA等)。
2. 多载波功率放大器(MCPA),用于提高基站效率。
3. 工业、科学和医疗(ISM)频段的射频设备,如无线数据传输模块。
4. 测试与测量仪器中的射频信号放大。
5. 其他需要高效射频功率放大的场景,例如雷达系统或卫星通信。
CDR04BX184AKUML, CDR04BX184AKUF