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P5103EM6 发布时间 时间:2025/5/22 0:28:55 查看 阅读:4

P5103EM6是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效提高系统的效率并降低功耗。
  其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和优化电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.6A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:20ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

P5103EM6具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,有助于缩小磁性元件体积。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定性能。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设备的需求。

应用

P5103EM6适用于多种电力电子应用场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率输出级。
  4. LED驱动器中的开关组件。
  5. 各类电池管理系统的充放电控制电路。

替代型号

IRF540N, AO3400A, FDP018N06L

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