时间：2025/6/19 0:57:36
阅读：3
CDR04BP332BJZPAT 是一款由 Centra Dynamics 生产的高效能功率 MOSFET 芯片，采用 TO-263 封装形式。该芯片主要应用于电源管理领域，如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等场景。其设计结合了低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了系统效率并降低了热损耗。
这款器件具有出色的电气性能和稳定性，在高频率和高电流的应用中表现出色。同时，它还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和提高可靠性。
型号：CDR04BP332BJZPAT
类型：N沟道功率MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ (在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：28nC
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
结温(Tj)：-55°C 至 +175°C
CDR04BP332BJZPAT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保高效的功率转换，并减少热生成。
2. 高电流处理能力，能够承受高达 32A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计，可有效降低开关损耗。
4. 宽泛的工作电压范围，适用于多种不同的应用环境。
5. 表面贴装封装，提升了 PCB 布局的灵活性以及生产效率。
6. 良好的热稳定性和耐用性，适合长期运行在高温条件下。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 汽车电子系统，例如电池管理系统和电动助力转向系统。
5. 通信设备中的电源管理和信号调节模块。
CDR04BP33BKZPAT, IRFZ44N, FDP16N40L
