HFS5N65S 时间：2025/12/26 18:34:37 阅读：7

HFS5N65S是一款由HFA（华微电子）生产的高压、高速MOS场效应晶体管，采用先进的平面栅极工艺技术制造。该器件专为高效率开关电源应用而设计，具备优良的开关特性和耐压能力。其额定电压为650V，连续漏极电流可达5A（在25°C下），适合在多种功率转换系统中使用。HFS5N65S广泛应用于AC-DC开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电源、逆变器以及电机控制等场景。
　　该芯片封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能和绝缘特性，适用于需要电气隔离的应用环境。器件内部结构经过优化，在保证高击穿电压的同时，降低了导通电阻和开关损耗，从而提升了整体系统效率。此外，HFS5N65S还具备较强的雪崩能量承受能力和抗瞬态过压能力，增强了系统运行的可靠性和稳定性。由于其优异的性能参数和成本优势，HFS5N65S已成为中小功率电源产品中的主流选择之一。

参数

型号：HFS5N65S
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：5A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：≤2.2Ω @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：780pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：260pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：≤55ns
　　功耗(PD)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220F

特性

HFS5N65S采用先进的平面型VDMOS工艺制造，具备出色的高压阻断能力与低导通损耗的平衡特性。其650V的高耐压设计使其能够稳定工作于市电整流后的高压母线环境中，特别适用于单相或三相输入的开关电源系统。器件的导通电阻典型值仅为2.2Ω，在同类产品中处于领先水平，有助于降低传导过程中的能量损耗，提高电源系统的整体能效。
　　该MOSFET具有快速开关响应能力，输入电容和输出电容较小，配合较低的栅极电荷量，可显著减少驱动电路所需的能量，并支持较高的开关频率操作，适用于高频PWM控制场合。同时，其反向恢复时间短，体二极管性能良好，减少了关断过程中的电压尖峰和电磁干扰问题，有利于简化EMI滤波电路设计。
　　热稳定性方面，HFS5N65S的热阻较低，结合TO-220F封装的优良散热特性，可在较高环境温度下长期可靠运行。器件通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环等试验，确保在恶劣工况下的耐用性。此外，产品符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，满足现代绿色电子产品的发展趋势。

应用

HFS5N65S主要用于各类中低功率开关电源系统，如手机充电器、笔记本适配器、家用电器电源模块、LED照明驱动电源等。在这些应用中，它常作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或有源钳位拓扑结构中，承担能量传递与电压变换的核心功能。
　　此外，该器件也适用于工业控制领域的DC-DC变换器、光伏逆变器中的辅助电源、小型UPS不间断电源系统以及电机驱动电路中的功率开关单元。由于其具备较高的耐压裕度和较强的抗浪涌能力，即使在电网波动较大的地区也能保持稳定运行。
　　在设计上，HFS5N65S可与其他控制IC（如电流模式控制器UC3842、准谐振控制器OB2263等）配合使用，构成完整的电源解决方案。其标准化的TO-220F封装便于手工焊接和自动化生产，有利于降低制造成本并提升装配效率。因此，该器件在消费类电子、工业电子及新能源领域均获得了广泛应用。