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CBR06C459B1GAC 发布时间 时间:2025/12/24 7:56:00 查看 阅读:14

CBR06C459B1GAC是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信系统中的射频放大器应用而设计。该晶体管采用先进的半导体制造工艺,具有高增益、高线性度和高效率的特点。它适用于基站、中继站以及其他射频功率放大的场景。

参数

型号:CBR06C459B1GAC
  封装:TO-273-3
  频率范围:0.7GHz 至 2.7GHz
  输出功率:50W(典型值)
  增益:15dB(典型值)
  效率:55%(典型值)
  供电电压:28V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

CBR06C459B1GAC晶体管采用了创新的设计以实现更高效的功率转换,并且具备出色的线性度表现,这使得其在复杂调制信号的放大中表现出色。
  该器件还内置了静电防护机制,可以有效防止因静电导致的损坏。
  此外,CBR06C459B1GAC支持宽带操作,使其能够覆盖多种不同的通信频段,从而增强了产品的灵活性和适用性。
  它的耐用性和稳定性也经过严格测试,确保在恶劣环境下的可靠运行。

应用

CBR06C459B1GAC广泛应用于各种射频功率放大领域,包括但不限于:
  1. 无线通信基站的射频功率放大模块。
  2. 中继站和微波链路设备中的功率放大组件。
  3. 工业、科学及医疗(ISM)频段设备中的射频功率放大。
  4. 测试与测量设备中的射频信号源。
  5. 其他需要高效射频功率放大的应用场景。

替代型号

MRF6S9180N, CBR06C459B1G

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CBR06C459B1GAC参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.84434卷带(TR)
  • 系列CBR-SMD RF C0G
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.5 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-