时间：2025/5/13 18:21:01
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CDR04BP152BJUS 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
其封装形式为 SO-8（PowerPAK SO-8），能够有效提升散热性能，同时节省电路板空间。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：SO-8（PowerPAK SO-8）
CDR04BP152BJUS 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，非常适合高频率开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 紧凑型 PowerPAK SO-8 封装，有助于减少 PCB 占用面积，同时提供良好的热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 在多种应用中表现出卓越的可靠性和稳定性，例如工业设备、通信电源及消费类电子产品中的功率转换部分。
该芯片广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中作为主功率开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
4. 各种负载开关和保护电路中的关键元件。
5. 电池管理系统 (BMS) 中用于充放电路径控制。
6. 可再生能源系统如太阳能逆变器内的功率调节模块。
IRFZ44N
AO3400A
FDP5800
STP36NF06L
