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HUFA76609D3 发布时间 时间:2025/7/2 15:24:23 查看 阅读:12

HUFA76609D3是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高电流承载能力,从而提高了整体效率并降低了功率损耗。
  该芯片主要特点是能够在高频条件下提供稳定的性能表现,同时其封装形式使其易于集成到各种电路设计中。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:28A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:40nC
  总热阻:25°C/W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

HUFA76609D3的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,显著降低了功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达28A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,得益于优化的栅极电荷设计,使器件能够适应高频开关场景。
  4. 宽泛的工作温度范围,从-55°C到150°C,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 先进的封装技术提升了散热性能,有助于维持长时间稳定运行。
  6. 内置保护功能如过流保护和短路保护,增强了系统的安全性。

应用

HUFA76609D3适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件,用于提高效率和减小体积。
  2. DC-DC转换器的核心组件,尤其在需要快速响应和高效率的场景下。
  3. 电机驱动应用,如步进电机、直流无刷电机等,可实现高效的电流控制。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块,如逆变器、不间断电源(UPS)等。
  5. 汽车电子系统中的负载开关和电池管理系统(BMS)。
  6. 其他需要高电流、高效率功率切换的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N10
  STP16NM60E

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HUFA76609D3参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds425pF @ 25V
  • 功率 - 最大49W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装TO-251AA
  • 包装管件