时间：2025/5/19 13:10:45
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CDR01BX271BKZSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型技术。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于多种高频开关应用。其封装形式为 TO-263，能够满足工业级和汽车级应用需求。
该芯片广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动电路以及其他需要高效功率转换的场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：210W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
CDR01BX271BKZSAT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，能够支持大功率负载。
4. 出色的热稳定性，确保在极端温度条件下依然保持可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能，提高了整体抗干扰能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 电机驱动和逆变器电路中的功率切换。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 汽车电子系统中的电池管理及保护电路。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关产品。
CDR01BX271BKZSAX, IRFZ44N, FDP5800
