时间:2025/12/28 19:35:44
阅读:8
CDDFN10-0516P 是一款由 Central Semiconductor 生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管采用紧凑的 DFN(Dual Flat No-leads)封装,具有良好的热性能和空间节省设计,适用于高密度 PCB 设计。这款晶体管被设计用于需要高效能和小体积的应用场景,例如便携式电子设备、电源管理和信号放大电路。
类型:NPN 晶体管
封装类型:DFN10
最大集电极电流 (Ic):100mA
最大集电极-发射极电压 (Vce):50V
最大集电极-基极电压 (Vcb):50V
最大发射极-基极电压 (Veb):5V
最大功耗:300mW
电流增益 (hFE):110 - 800(根据档位不同)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CDDFN10-0516P 的一大特点是其 DFN 封装形式,这种封装不仅节省空间,而且提供了良好的热管理能力,使得该晶体管可以在高密度电路板上使用而不影响性能。此外,该晶体管具有较低的饱和压降,能够有效减少功耗,提高能效。
其电流增益范围较广,从 110 到 800,这使得它适用于多种放大电路设计。该晶体管的高击穿电压(Vce 和 Vcb 各为 50V)允许它在较高电压环境下稳定工作,适用于多种电源管理和开关电路。
另外,该晶体管的快速开关特性使其适用于数字电路和脉冲电路中的开关操作。其低基极电阻也提高了高频响应能力,适用于信号放大和处理电路。
在可靠性方面,CDDFN10-0516P 具有良好的温度稳定性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作,适用于各种严苛环境下的电子设备。
CDDFN10-0516P 晶体管广泛应用于多种电子电路中。在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该晶体管可用于电源管理、信号放大和逻辑开关电路。其小封装设计非常适合高密度 PCB 布局,提高设备的集成度和轻薄化程度。
在工业控制和自动化设备中,该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动和电源调节等应用。其高击穿电压和良好的温度稳定性使其适合在各种工业环境下运行。
此外,该晶体管还可用于音频放大器、射频电路和脉宽调制(PWM)控制器中,适用于消费电子和通信设备的设计中。
CDDFN10-0516P 的替代型号包括 BC817、2N3904 和 MMBT3904。