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SK50GD12T7ETE1 发布时间 时间:2025/8/22 22:59:48 查看 阅读:16

SK50GD12T7ETE1 是一款由 Semikron(赛米控)公司生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中进行电力转换和控制。该模块采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,具有较高的效率和较低的导通压降。SK50GD12T7ETE1 主要应用于工业电机驱动、逆变器、可再生能源系统以及电力调节设备等高功率场景。

参数

器件类型:IGBT模块
  制造商:Semikron(赛米控)
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):50A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  短路耐受能力:6μs
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  安装方式:螺钉安装
  热阻(RthJC):约0.35°C/W
  导通压降(VCE_sat):典型值约2.15V(在IC=50A时)
  输入电容(Cies):约1600pF
  开关损耗(Eon/Eoff):典型值分别为 0.7mJ 和 1.2mJ(在特定测试条件下)

特性

SK50GD12T7ETE1 采用先进的 Trench Field Stop 技术,使其在导通压降和开关损耗之间实现了良好的平衡。该模块的低饱和压降(VCE_sat)有助于降低导通损耗,从而提高整体系统效率。同时,其优化的开关特性减少了开关过程中的能量损耗,特别适用于高频开关应用。
  该模块具有良好的热管理性能,其热阻(RthJC)约为 0.35°C/W,能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度,从而提高系统的可靠性和寿命。此外,SK50GD12T7ETE1 还具备较强的短路耐受能力,能够在极端工况下提供一定的保护作用。
  模块的封装设计便于安装和散热管理,采用螺钉安装方式,确保良好的机械稳定性和热传导性能。该模块的输入电容较低,有助于减少栅极驱动电路的功率需求,适用于多种工业控制和电力电子系统。
  此外,该模块的电气特性具有良好的一致性,适合用于并联使用,以满足更高电流需求的应用场景。模块内部的绝缘设计符合相关的国际标准,确保了在高电压环境下的安全运行。

应用

SK50GD12T7ETE1 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见应用包括工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)、电焊机、太阳能逆变器和风力发电变流器等。
  在电机驱动应用中,该模块用于实现高效的交流电机控制,能够承受频繁的负载变化和较高的开关频率。在可再生能源系统中,SK50GD12T7ETE1 可用于太阳能逆变器,将直流电转换为高质量的交流电并馈入电网。
  此外,该模块也适用于电动汽车充电设备、储能系统以及工业自动化控制系统中的功率变换环节。其优异的热管理和短路保护能力使其在恶劣工作环境中也能保持稳定的性能。

替代型号

SK50GD12T4AG1E1、SK50GB12T4AG1E1、FF50R12KT4_B11、FS50R12W1T4_B11

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