CDD120N16 时间：2025/8/23 11:56:53 阅读：6

CDD120N16 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能功率MOSFET，属于STPOWER系列。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于需要高电流和高电压能力的功率应用。该MOSFET的额定电压为160V，最大连续漏极电流为120A，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等高功率应用场景。CDD120N16采用了PowerFLAT 5x6封装，具有优异的热性能和空间效率，便于在紧凑型设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　额定电压：160V
　　额定电流：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.4mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：90nC
　　最大工作温度：175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

CDD120N16 的核心特性在于其卓越的导通性能和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它能够有效减少热量的产生并提高系统的稳定性。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，优化了电场分布，从而提高了器件的击穿电压能力和可靠性。
　　另一个重要特性是其良好的热管理能力。PowerFLAT 5x6封装设计具有较低的热阻（Rth），能够有效将热量从芯片传导到PCB，从而确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。这使得CDD120N16在高功率密度设计中表现出色，特别适用于紧凑型电源和电机驱动系统。
　　此外，CDD120N16具有快速开关特性，能够实现高效的开关操作，减少开关损耗。这对于高频开关应用（如DC-DC转换器和PWM电机控制）至关重要。其栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少驱动电路的功耗，并提高系统的动态响应能力。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力和过热保护性能，能够在极端工况下保持稳定运行，提升系统的整体可靠性。这些特性使CDD120N16成为工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及高功率电机控制等应用中的理想选择。

应用

CDD120N16 广泛应用于各种高功率电子系统中。其中，最常见的应用包括高效电源（如服务器电源、工业电源）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。在这些应用中，CDD120N16的低导通电阻和优异的热管理能力使其能够提供高效率和稳定性能，满足现代高功率系统对节能和小型化的需求。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于负载开关、同步整流和电压调节，帮助提升整体能效。在电机控制应用中，CDD120N16能够提供高效的PWM控制，实现精确的转速和扭矩调节。此外，在电动汽车和储能系统中，该器件可作为主开关或电池保护开关使用，确保系统的安全性和稳定性。
　　由于其优异的封装设计和高可靠性，CDD120N16也适用于需要长时间高负载运行的工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统。这些广泛的应用场景使得CDD120N16成为许多高性能功率电子系统中的关键组件。