时间：2025/9/1 19:05:42
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H9TPKNNNAADMRHR-NGH 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列。该型号专为移动设备和高性能计算应用设计，具备高速数据传输能力、低功耗特性以及紧凑的封装形式，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高效内存处理的设备中。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具备良好的电气性能和散热能力，适用于高密度主板设计。
类型：DRAM
规格：LPDDR4
容量：4GB（32Gb）
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V（核心电压VDD）
封装类型：BGA
封装尺寸：根据具体封装形式为138-ball或153-ball
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据总线宽度：16位
时钟频率：1600MHz
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册
接口标准：JEDEC标准LPDDR4接口
H9TPKNNNAADMRHR-NGH 作为一款高性能LPDDR4内存芯片，具备多项先进特性。其数据传输速率达到3200Mbps，支持高速数据处理，适用于需要高带宽的应用场景，如4K视频播放、大型游戏、多任务处理等。
该芯片采用1.1V的核心电压供电，相比前代LPDDR3内存显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。同时，它具备低漏电设计，进一步优化了能效表现。
在封装方面，H9TPKNNNAADMRHR-NGH 使用BGA封装技术，确保了良好的信号完整性和热管理能力，适用于高密度PCB布局，并提高了产品的可靠性和耐用性。
该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式等，能够在设备处于待机或低负载状态时有效降低能耗。此外，它还支持错误检测与纠正功能，提高了数据传输的稳定性和系统的整体可靠性。
从制造工艺来看，H9TPKNNNAADMRHR-NGH 采用先进的DRAM制造技术，具备高集成度和优异的性能表现，能够满足现代移动设备和嵌入式平台对内存容量和速度的双重需求。
H9TPKNNNAADMRHR-NGH 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等移动设备。由于其高带宽和低功耗特性，也非常适合用于高性能嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及需要高效能内存处理能力的物联网（IoT）设备。
此外，该芯片还可用于移动计算设备如超极本（Ultrabook）、二合一平板笔记本（2-in-1 PC）以及高性能游戏掌机等产品中，提供稳定且高效的内存支持。
H9TPKNNNAADMRHR-NGH 的替代型号包括 H9TPKNN8GADMRHR-NGH、H9TPKNN8GADMRHR-ACG、H9TPKNN8GADMRHR-AGC 等同系列LPDDR4 DRAM芯片，具体可根据容量、速度和封装需求进行选择。
