CDR31BP361BFZRAT是一款由ON Semiconductor生产的整流二极管,采用TO-252封装形式。该二极管主要用于功率转换和电源管理应用中,具备高效率、低正向电压降和快速恢复时间的特性。其设计旨在支持高电流密度需求的场景,并且能够有效降低系统功耗。
最大反向电压:60V
最大平均整流电流:3A
峰值正向浪涌电流:84A
正向电压降:0.9V(典型值,@If=3A)
结电容:40pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
存储温度范围:-65℃至+175℃
热阻(结到环境):120℃/W
CDR31BP361BFZRAT采用了先进的PowerTrench技术,这种工艺显著降低了正向电压降和导通损耗。
它具有快速恢复特性,适合高频开关应用,同时能保持较低的反向恢复电荷,从而减少开关损耗。
其封装形式TO-252体积小巧,便于表面贴装,非常适合空间受限的设计。
此外,该二极管经过优化,能够在高温环境下稳定运行,适用于汽车电子和其他严苛条件下的应用。
CDR31BP361BFZRAT还符合RoHS标准,确保环保合规性。
该二极管广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路以及汽车电子设备中。
在通信领域,它可以用于基站电源和网络设备中的功率转换模块。
工业自动化设备中,例如PLC控制器、伺服驱动器等,也常常使用此类二极管作为整流元件。
另外,在消费类电子产品如笔记本适配器和电视电源中,CDR31BP361BFZRAT同样表现出色。
MBR360VLSFT1G
MDD36L06Z
SR360P3