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ZXTP2013ZTA 发布时间 时间:2025/5/9 14:53:06 查看 阅读:5

ZXTP2013ZTA是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能等特点,能够满足多种功率电子应用的需求。
  该型号属于ZETEX(已被Diodes Incorporated收购)旗下的高性能MOSFET系列,专为高效能电力传输设计。其封装形式为SOT-23,非常适合对空间要求较高的紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:85mΩ
  栅极电荷:4nC
  开关时间:ton=11ns, toff=9ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 快速开关特性使得器件能够在高频应用中表现出色。
  3. 小巧的SOT-23封装使其适合于便携式设备和其他空间受限的应用。
  4. 高雪崩能量能力增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  5. 具备良好的热稳定性和电气性能,适用于广泛的工业和消费类电子产品。

应用

1. 开关电源中的同步整流器
  2. DC-DC转换器的功率开关
  3. 电池管理系统的保护电路
  4. 消费类电子产品的负载开关
  5. 电机驱动和LED驱动中的功率控制
  6. 便携式设备的电源管理模块

替代型号

AO3400A
  IRLML6401
  FDMQ8203

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ZXTP2013ZTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 400mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称UZX5T951ZTAUZX5T951ZTRUZX5T951ZTR-NDZX5T951ZTAZX5T951ZTRZX5T951ZTR-NDZXTP2013ZTR