类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　反向耐压（VRRM）：120V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　正向电压降（VF）：典型值0.875V（在1A时）
　　最大反向漏电流（IR）：典型值0.25μA（在25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns
　　热阻（RθJA）：约150°C/W

CDBMH120-G的核心特性之一是其低正向电压降，在1A的工作电流下典型值仅为0.875V，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。相比传统硅PN结二极管，肖特基势垒结构利用金属-半导体接触形成势垒，使得载流子以多数载流子为主进行传输，避免了少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr ≤ 5ns）。这一特性使其非常适合应用于高频开关电路中，如开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器，可有效减少开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件具有高达120V的重复反向电压（VRRM），使其能够在中等电压应用中可靠运行，例如在12V、24V甚至48V系统中作为整流或续流元件使用。尽管其额定平均整流电流为1A，但能够承受高达30A的峰值正向浪涌电流（非重复），表明其在面对瞬间大电流冲击（如电源启动或负载突变）时具备较强的鲁棒性。这种能力增强了系统在异常工况下的稳定性与安全性。
　　CDBMH120-G采用SMA（DO-214AC）封装，尺寸紧凑，适合自动化贴片生产，有利于提升PCB布局密度并降低制造成本。其热阻约为150°C/W，在适当的PCB铜箔散热设计下可实现良好的热管理。工作结温范围从-55°C到+150°C，支持极端环境下的应用需求，包括工业控制、汽车电子和户外通信设备等领域。
　　此外，该器件具有极低的反向漏电流，在25°C时典型值仅为0.25μA，有助于减少待机功耗，提升轻载效率。然而需要注意的是，随着温度升高，肖特基二极管的反向漏电流会显著增加，因此在高温应用中需合理评估散热条件与漏电流之间的平衡。总体而言，CDBMH120-G凭借其优异的电学性能、高可靠性及环保合规性，成为众多中低压高频整流应用中的理想选择。

CDBMH120-G广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在低电压大电流输出拓扑中，其低正向压降可显著提升转换效率；在DC-DC转换器中作为续流或箝位二极管，利用其快速恢复特性减少开关损耗和电压尖峰；也可用于逆变器电路、电池充电管理系统、电源极性反接保护电路以及消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED驱动电源、路由器和网络设备电源模块等。
　　此外，由于其表面贴装封装形式和良好的温度特性，该器件也适用于汽车电子中的辅助电源系统、工业控制板卡以及通信基站的电源单元。在太阳能微逆变器和便携式储能设备中，CDBMH120-G同样可用于防止电池反向放电和实现能量回馈路径的单向导通控制。其高浪涌电流承受能力也使其适用于存在瞬态过流风险的应用场景。

SS12FHE3/4G
　　MBR1120T1G
　　SB120HE3_A/P2
　　SK120A-L3