TGA2507 是一款由 Toshiba(东芝)公司推出的射频功率晶体管,属于 GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。该器件主要用于射频功率放大器应用,适用于高频率和高功率操作环境。TGA2507 的设计目标是在 2 GHz 至 6 GHz 频率范围内提供高效的功率放大性能,非常适合用于无线通信基础设施、雷达系统、测试设备和工业控制系统等应用。
频率范围:2 GHz 至 6 GHz
输出功率:100 W(典型值)
漏极电压:+28 V
工作电流:6 A(典型值)
增益:14 dB(典型值)
效率:50% 以上
封装类型:符合 RoHS 标准的陶瓷封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
TGA2507 具备一系列优异的电气和热性能,使其在高频功率放大应用中表现出色。首先,它采用 GaN HEMT 技术制造,提供了更高的功率密度和更高的击穿电压,这使得它能够在较高的电压下工作,同时保持良好的效率和可靠性。其次,该器件在 2 GHz 至 6 GHz 频率范围内具有出色的线性度和稳定性,适合多种射频应用。
在热管理方面,TGA2507 采用了高效的散热设计,能够在高功率操作时保持较低的工作温度,从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。此外,它具有较高的漏极效率,通常超过 50%,这意味着它可以减少功率损耗并提高整体系统的能源效率。
TGA2507 还具有良好的输入和输出阻抗匹配性能,减少了对外部匹配电路的依赖,简化了设计流程。其 14 dB 的典型增益水平使得它在多级放大系统中可以作为高效的中间或末级功率放大器使用。此外,该器件的工作电压为 +28 V,这使其能够与多种射频电源管理系统兼容。
TGA2507 主要用于需要高功率和高频操作的射频系统中。它在无线通信基础设施中被广泛应用于基站放大器、微波通信系统和 4G/5G 无线网络设备中。此外,该器件也适用于雷达系统、电子战设备、工业加热设备以及各种测试和测量仪器中的功率放大器模块。
在军事和航空航天领域,TGA2507 可用于构建高可靠性的射频发射系统,如战术通信设备和导航系统。由于其高效率和高功率特性,该器件也适用于需要长时间稳定运行的工业控制系统和广播设备。
对于设计工程师而言,TGA2507 提供了出色的性能指标和稳定的运行特性,使其成为高性能射频功率放大器的理想选择。无论是在商业通信系统还是在高要求的军用设备中,该器件都能提供可靠的功率放大解决方案。
TGA2508, TGF2507, TGF2508, Cree 的 CGH40010F