IXFN64N50 时间：2025/8/6 0:39:45 阅读：18

IXFN64N50 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的应用场合。该器件设计用于高效能的电源转换系统，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、逆变器和电机控制电路。IXFN64N50 采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于高频率操作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：64A
　　漏极-源极击穿电压 (Vds)：500V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.14Ω
　　功率耗散 (Ptot)：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN64N50 的主要特性之一是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压为 500V，使其适用于高压直流电源转换系统。该器件的导通电阻非常低，典型值为 0.14Ω，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，IXFN64N50 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 64A，适用于大功率负载的应用。
　　该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定。其栅极驱动电压范围为 ±20V，支持常见的 10V 至 15V 栅极驱动电路。IXFN64N50 的开关速度快，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如谐振转换器和 ZVS（零电压开关）拓扑。
　　此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。它还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下运行而不影响性能。这些特性使 IXFN64N50 成为工业电源、电机驱动、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等应用的理想选择。

应用

IXFN64N50 被广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机控制、功率因数校正（PFC）电路以及 UPS 系统。其高耐压、低导通电阻和高电流能力使其适用于需要高效能和高可靠性的场合。
　　在开关电源设计中，IXFN64N50 可用于主开关管，实现高效的能量转换。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效率和稳定输出。对于逆变器应用，IXFN64N50 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和电动车驱动系统。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动电路，控制直流电机或步进电机的运行。其快速开关能力和高电流承载能力有助于提高电机驱动系统的响应速度和效率。在 UPS 系统中，IXFN64N50 可作为主功率开关，确保在市电中断时能够快速切换至电池供电。