30BQ100GTRPBF 时间：2025/10/27 16:09:54 阅读：8

30BQ100GTRPBF是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基势垒二极管阵列，采用中心抽头配置，封装形式为TO-277A（也称为DPAK-3）。该器件设计用于高频开关电源应用，如DC-DC转换器、同步整流电路和低压大电流输出系统。其核心优势在于低正向压降、快速反向恢复时间和高温工作能力，使其在高效率电源管理方案中具有重要地位。
　　该型号的‘30B’表示系列名称，‘Q’代表中心抽头双二极管结构，‘100’指最大重复峰值反向电压为100V，而‘G’通常表示产品符合RoHS环保标准。‘TLPBF’中的‘T’表示卷带包装，‘R’表示符合无铅制造工艺，‘Pb-free’表明该器件不含铅，适用于现代绿色环保电子产品。
　　由于其优异的热性能和紧凑的表面贴装封装，30BQ100GTRPBF特别适合空间受限但需要高效散热的应用环境。器件可在高达+150°C的结温下稳定运行，确保在恶劣工作条件下仍具备可靠性。此外，它还具备较低的寄生电感和电阻，有助于减少开关损耗并提升整体能效。

参数

类型：中心抽头双肖特基二极管
　　极性：双共阴极（Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：30A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：100A
　　正向压降（VF）：典型值0.54V（在15A, TJ=25°C）
　　最大正向压降（VF）：0.62V（在15A, TJ=25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA（在100V, TJ=25°C）；高温下可达100μA
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜10ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：TO-277A（DPAK-3）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

30BQ100GTRPBF的核心特性之一是其卓越的低正向导通压降性能，在15A电流下典型值仅为0.54V，最大不超过0.62V。这一特性显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体转换效率，尤其是在低压大电流输出场景中效果尤为明显，例如12V转5V或更低电压的DC-DC变换器。与传统硅PN结二极管相比，肖特基势垒结构避免了少数载流子存储效应，从而实现近乎瞬时的开关响应，极大地减少了开关过程中的能量损耗。
　　另一个关键特性是其出色的热管理和封装设计。TO-277A封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且通过底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB地层，增强散热能力。该器件支持高达30A的平均整流电流，并能在瞬态条件下承受100A的非重复浪涌电流，展现出良好的过载承受能力和稳定性。此外，其反向恢复时间极短（通常小于10ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复尖峰电流，有助于降低电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。
　　该器件还具备优良的温度稳定性，在高温环境下反向漏电流增长相对缓慢，且正向压降随温度升高略有下降（负温度系数），有利于多个并联使用时的电流均衡。同时，其符合RoHS和无铅标准，满足现代电子产品的环保要求。内置的中心抽头结构简化了同步整流拓扑中的布线复杂度，减少了元件数量和PCB占用面积，提升了系统集成度和制造效率。

应用

30BQ100GTRPBF广泛应用于各类高效开关电源系统中，特别是在需要高电流密度和低电压输出的场合。典型应用包括服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器以及工业级DC-DC转换器。由于其低VF特性和快速响应能力，常被用于同步整流拓扑中替代传统的MOSFET驱动方案，以进一步优化效率并降低成本。
　　在便携式电子设备中，该器件可用于电池充电管理电路中的防倒灌保护或能量回馈路径，确保系统安全运行。此外，在太阳能逆变器、LED驱动电源和汽车电子系统（如车载DC-DC转换器）中也有广泛应用。其表面贴装封装形式非常适合自动化批量生产，尤其适用于追求小型化和高功率密度的设计需求。
　　由于其耐高温特性和可靠的长期工作表现，30BQ100GTRPBF也适用于工业控制、网络设备和电信基础设施等对稳定性要求较高的领域。在这些环境中，电源必须长时间连续运行且面临复杂的电磁干扰和温度波动，该器件能够提供稳定的整流性能和故障防护能力。同时，其低EMI特性有助于满足严格的电磁兼容性认证标准，减少额外滤波电路的需求，从而降低整体系统成本。