时间：2025/6/11 13:56:14
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FQT5P10TF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件适用于多种电源管理应用场合，包括开关电源、直流电机驱动和负载开关等。其低导通电阻特性使得它在高效率转换应用中表现出色。
这款 MOSFET 的设计目标是为工程师提供一种高性能的解决方案，同时具备较高的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅极源极电压：±20V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（典型值）：10mΩ
栅极电荷：20nC
总电容：340pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQT5P10TF 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，得益于较小的栅极电荷。
3. 优秀的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
4. 小巧的 TO-252 封装形式，节省了 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
这些特性使其非常适合于要求高效能和紧凑设计的应用场景。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机控制与驱动电路。
3. 各种负载开关和保护电路。
4. 电池供电设备中的电源管理模块。
5. LED 照明驱动电路。
FQT5P10TF 的灵活性和高性能确保了其在这些应用场景中的稳定表现。
FQD18N10,
FQP10N06L,
IRLZ44N
