类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极最大电流（IC）：1.5A
　　总功耗（Ptot）：50W（Tc=25°C）
　　直流电流增益（hFE）：20~400（典型值随电流变化）
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

CD1160晶体管具备优异的开关特性和较高的功率承载能力，其核心优势在于稳定的电气性能与出色的热管理能力。
　　首先，该器件具有高达100V的集电极-发射极击穿电压，使其能够适用于多种中高压开关电源设计，如DC-DC转换器、逆变器及稳压电源模块。在实际应用中，这种耐压能力可有效防止因瞬态电压尖峰导致的器件损坏，从而提升系统的可靠性。其次，CD1160的最大连续集电极电流可达1.5A，并可在短时间内承受更高的脉冲电流，满足对动态负载响应要求较高的应用场景。结合其50W的总功耗能力（在理想散热条件下），该晶体管可在不额外增加复杂冷却措施的情况下实现高效的能量转换。
　　另一个关键特性是其直流电流增益（hFE）范围宽泛，通常在20至400之间，具体数值取决于工作电流水平。这一特性使得CD1160既能用于小信号放大，也可胜任大电流驱动任务，具备良好的设计灵活性。此外，其过渡频率达到150MHz，表明该器件在中频范围内仍能保持较好的增益响应，适合用于高频开关应用，例如开关电源中的PWM控制环节。
　　从可靠性角度看，CD1160采用严格的生产工艺控制，确保批次一致性高，且通过高温反偏（HTRB）、温度循环等多项可靠性验证，适用于军工、航空航天及工业自动化等对元器件寿命和稳定性要求极高的领域。其工作结温范围从-55°C到+150°C，支持极端环境下的长期运行，进一步拓宽了其应用边界。TO-220封装不仅提供了优良的散热路径，还便于安装散热片，增强功率密度表现。综上所述，CD1160凭借其高耐压、大电流、良好频率响应和高可靠性，成为中功率模拟与数字电路中的优选器件。

CD1160广泛应用于各类中等功率电子系统中，尤其适用于需要高稳定性和较强驱动能力的场合。
　　在电源系统中，该晶体管常被用作线性稳压器的调整管或开关电源中的主开关元件，利用其低饱和压降和高电流承载能力实现高效的电压调节与能量传输。在DC-DC变换器拓扑结构中，如降压（Buck）或升压（Boost）电路中，CD1160可用于控制电感电流的通断，配合PWM控制器完成电压转换功能。
　　在工业控制领域，CD1160可用于继电器驱动、电机速度控制或电磁阀驱动电路中，作为末级功率放大或开关单元，将微控制器输出的小信号转换为足以驱动执行机构的大电流信号。由于其具备较强的过载承受能力和温度稳定性，因此在长时间运行的工业设备中表现出色。
　　此外，在消费类电子产品中，如电视、音响设备或照明电源模块中，CD1160也常用于音频功率放大或灯管/LED驱动电路中，提供可靠的信号放大与功率输出功能。在某些特殊应用中，如电子镇流器或小型逆变器中，该晶体管还可作为振荡电路的一部分，参与正弦波或方波的生成与放大。
　　得益于其宽泛的工作温度范围和高抗干扰能力，CD1160也被应用于部分军用通信设备、雷达系统和车载电子装置中，承担射频信号预放大或电源切换等功能。总之，该器件因其多用途性、高可靠性和成熟的供应链支持，在多个技术领域中持续发挥重要作用。

2SC3356, MJE172, BU806, 2N3055