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CD-MBL102S 发布时间 时间:2025/12/27 19:37:39 查看 阅读:24

CD-MBL102S是一款由Central Semiconductor Corp生产的肖特基势垒二极管,采用表面贴装SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高频、高效率的整流应用设计,适用于需要低正向电压降和快速开关特性的电路中。其主要特点是具有较低的正向导通压降(VF),这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外,由于采用了肖特基势垒技术,该二极管具备极短的反向恢复时间(trr),几乎可以忽略不计,因此非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及防止反向电流的应用场景。CD-MBL102S的最大平均整流电流可达1A,峰值重复反向电压为20V,能够满足多种低压大电流应用的需求。该器件还具备良好的热稳定性与可靠性,在正常工作条件下表现出较长的使用寿命。封装形式为SMA,便于自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  最大直流阻断电压(VRRM):20V
  最大平均整流电流(IO):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向电压(VF):0.5V @ 1A(典型值),0.6V @ 1A(最大值)
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V(25°C)
  反向恢复时间(trr):<10ns
  工作结温范围(TJ):-65°C ~ +125°C
  热阻抗(RθJA):约150°C/W(典型值)
  安装类型:表面贴装

特性

CD-MBL102S的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种结构使得它在导通时具有非常低的正向压降,通常在0.5V左右(在1A负载下),显著低于传统PN结二极管的0.7V以上水平。这意味着在相同的工作电流下,其功耗更低,发热更少,从而提升了系统的能效表现,尤其适合对能耗敏感的便携式设备或高密度电源模块。同时,由于没有少数载流子存储效应,肖特基二极管的开关速度极快,反向恢复时间(trr)小于10纳秒,几乎不存在反向恢复电荷,避免了在高频开关过程中产生较大的瞬态电流和电磁干扰(EMI),有利于提升电源系统的稳定性和响应速度。
  该器件具备良好的热性能和机械稳定性,SMA封装提供了足够的散热能力,并且兼容回流焊工艺,适合现代SMT生产线的大规模组装。其额定工作结温范围宽达-65°C至+125°C,能够在较恶劣的环境温度条件下可靠运行,增强了产品在工业级和汽车电子中的适应性。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是反向漏电流相对较高且随温度上升而增加,但CD-MBL102S通过优化材料和制造工艺,将25°C时的最大反向漏电流控制在0.1mA以内,在20V反向电压下仍保持较好的阻断能力。此外,其30A的峰值浪涌电流能力使其能够承受短时过载或启动冲击,提高了系统的鲁棒性。综合来看,CD-MBL102S是一款性价比高、性能稳定的低压肖特基二极管,适用于多种中低功率电源拓扑结构。

应用

CD-MBL102S广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。最常见的用途是作为开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流二极管,尤其是在反激式(Flyback)、正激式(Forward)和同步降压(Buck)等拓扑中替代传统的快恢复二极管,以降低导通损耗并提高转换效率。它也常用于DC-DC转换器模块中,特别是在输出电压较低(如3.3V、5V、12V)而输出电流较大的场合,其低VF特性可有效减少能量损失。
  在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的充电管理电路中,CD-MBL102S可用于防止电池反向放电或实现电源路径切换。在太阳能充电控制器、LED驱动电源、适配器和USB供电设备中,该器件也能发挥优异的整流和保护功能。此外,由于其快速响应能力,CD-MBL102S还可用于高频逆变器、电机驱动电路中的续流(freewheeling)或钳位(clamping)二极管,抑制感性负载产生的反电动势,保护主控开关元件(如MOSFET)。在通信设备、网络路由器、机顶盒等消费类和工业类电源单元中,该型号也是常用的整流解决方案之一。总之,凡是要求低功耗、小体积、高频率工作的低压整流场景,CD-MBL102S都是一种理想的选择。

替代型号

MBR120VSFT1G, SS12, SB120, MBR120U, PMEG2010EAPE

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CD-MBL102S参数

  • 现有数量23,601现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)5,000 : ¥0.88845卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管类型Single Phase
  • 技术标准
  • 电压 - 峰值反向(最大值)200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1 A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 1 A
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 200 V
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳芯片,凹面端子
  • 供应商器件封装-