时间：2025/4/28 17:22:15
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RP114K281D-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大等场景。该芯片属于 N 沟道增强型器件，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能特点。RP114K281D-TR 主要用于需要高效能转换和低功耗的应用场合，适合驱动电机、LED 和其他负载。
最大漏源电压(Vds)：60V
栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：53A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：17W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-3
RP114K281D-TR 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
2. 高开关速度，能够满足高频应用的需求。
3. 出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
4. 高浪涌能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
5. 封装紧凑，易于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
RP114K281D-TR 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. LED 照明系统的恒流控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统中的保护和均衡功能。
6. 各种需要高性能功率管理的电子设备。
RP114K280D-TR, IRF2814PBF, FDP150N06L
