NB679GDP是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管(BJT),专为高频功率放大应用而设计。该器件采用NPN结构,具有较高的功率增益和良好的线性度,适用于无线通信设备、射频功率放大器以及各种高频电子电路。NB679GDP的封装形式为TO-243AA,便于散热和安装。该晶体管能够在高频率下保持良好的性能,适用于UHF和VHF频段的应用。NB679GDP以其稳定的性能和可靠性,在射频电子设备中得到了广泛应用。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):1 A
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):1.5 W
最大工作频率(fT):100 MHz
封装类型:TO-243AA
NB679GDP作为一款高频NPN晶体管,具备多项优异的电气和机械特性。首先,该晶体管的最大集电极电流为1 A,使其能够在中等功率水平下稳定运行。同时,集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30 V,这保证了晶体管在较高电压环境下也能安全工作。NB679GDP的最大功耗为1.5 W,配合TO-243AA封装的优异散热性能,能够在高频率和较高功率条件下维持良好的热稳定性。
该晶体管的典型过渡频率(fT)为100 MHz,表明其在高频应用中具有良好的响应能力,适用于UHF和VHF频段的信号放大。此外,NB679GDP具有较高的电流增益(β),确保了在射频功率放大电路中的高效信号增强。其低噪声系数和良好的线性度也使其在通信系统中表现出色,特别是在射频前端设计中。
在机械特性方面,TO-243AA封装提供了良好的机械强度和热传导性能,便于安装在印刷电路板(PCB)上,并通过适当的散热设计来延长器件的使用寿命。NB679GDP的封装形式也使其在自动化装配过程中更加方便可靠。
NB679GDP广泛应用于射频功率放大器、无线通信设备、UHF/VHF信号放大器以及各类高频电子电路。由于其优异的高频响应和功率处理能力,NB679GDP常用于无线电发射机的末级或前级放大器,以增强信号强度。此外,它也可用于音频功率放大、开关电路以及通用电子设备中的高频信号处理模块。
2N2222A, 2N3904, BC547