STF38N65M5 时间：2025/7/22 5:24:48 阅读：12

STF38N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET，属于超级结（Super Junction）MOSFET系列，适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的MDmesh M5技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压特性，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS系统、照明镇流器以及其他高功率密度设计中。STF38N65M5的额定电压为650V，最大连续漏极电流为38A，封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：650V
　　最大连续漏极电流(Id)：38A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.045Ω
　　栅极电荷(Qg)：约50nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STF38N65M5具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，采用MDmesh M5技术的超级结结构极大地降低了导通损耗，同时保持了出色的开关性能，这使得MOSFET在高频开关条件下仍能维持高效率。其次，其导通电阻（Rds(on)）仅为0.045Ω，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐压能力，能够在恶劣工作环境下可靠运行。STF38N65M5的栅极电荷（Qg）约为50nC，意味着其驱动损耗较低，适合用于高频开关电路。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了系统在异常情况下的稳定性。最后，其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还支持简便的PCB布局和安装。
　　在可靠性方面，STF38N65M5经过严格测试，符合工业标准，具有较长的使用寿命。其低反向恢复电荷（Qrr）也有助于减少二极管恢复损耗，进一步提高整体系统效率。

应用

STF38N65M5广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性和高功率密度的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关管，以实现高效的AC-DC转换；在DC-DC转换器中，STF38N65M5可用于高边或低边开关，适用于服务器电源、通信设备电源和工业控制电源。此外，它还可用于不间断电源（UPS）系统、LED照明驱动器、电机驱动器以及光伏逆变器等应用。由于其出色的高频开关特性和低导通损耗，该器件也常用于谐振变换器和LLC拓扑结构中。