CBW322513U501T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,主要用于电源适配器、快充设备和工业电源系统中。该芯片内置了高性能的驱动器和保护电路,能够实现高频开关操作并显著降低能量损耗。
该型号具有高集成度和紧凑型设计特点,支持宽范围输入电压,并提供出色的热管理和电气性能,非常适合需要高效能和小尺寸的应用场景。
封装:QFN4x4
额定电压:650V
额定电流:13A
导通电阻:25mΩ
开关频率:最高可达2MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
保护功能:过温保护、过流保护、短路保护
CBW322513U501T采用先进的GaN晶体管技术,相比传统硅基MOSFET具有更低的寄生电容和更快的开关速度。这使得它在高频应用中表现出更高的效率和更少的热量产生。
此外,其内置的驱动器和保护电路进一步简化了设计流程,减少了外部元件的数量,从而降低了整体解决方案的成本和复杂性。
该芯片还具备强大的抗电磁干扰能力,确保在各种环境下的稳定运行。同时,它支持多种PWM控制模式,灵活性极高,能够适应不同类型的负载需求。
CBW322513U501T广泛应用于消费类电子产品的快充头、笔记本电脑适配器以及小型家电的电源管理系统中。
此外,在工业领域,它也常用于LED驱动器、不间断电源(UPS)和通信基站电源等场合。
由于其高频特性和高效表现,这款芯片特别适合那些对体积敏感且追求高功率密度的设计方案。
CBW322513U301T, CBW322513U502T