H5PS1G83KFR-S6C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器类别。该芯片设计用于高性能计算、图形处理以及需要大量数据吞吐的应用场合。H5PS1G83KFR-S6C采用了先进的封装技术,提供高容量和高速度的存储解决方案。
型号:H5PS1G83KFR-S6C
制造商:SK Hynix
存储类型:DRAM
存储容量:1G x 8
数据速率:1.2V
封装类型:FBGA
引脚数:178
工作温度范围:0°C 至 85°C
H5PS1G83KFR-S6C IC具备多项先进特性,包括低功耗设计、高速数据传输能力以及高可靠性。该芯片采用1.2V的工作电压,显著降低了功耗,适用于对能耗敏感的应用环境。此外,其高带宽特性使其在图形处理和高性能计算领域表现出色,能够满足现代计算系统对数据吞吐量的高要求。
该DRAM芯片的封装形式为178引脚的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),这种封装方式提供了更小的尺寸和更好的散热性能,适用于紧凑型电子设备的设计。H5PS1G83KFR-S6C的工作温度范围为0°C至85°C,适应了多种工作环境,确保在不同条件下都能稳定运行。
该芯片还具备良好的兼容性,能够与多种处理器和控制器无缝连接,简化了系统设计和集成过程。其高可靠性和稳定性使其成为工业级应用的理想选择。
H5PS1G83KFR-S6C IC广泛应用于高性能计算系统、图形处理单元(GPU)、服务器、网络设备以及高端消费电子产品。在高性能计算领域,该芯片能够提供足够的存储带宽,满足复杂计算任务的需求。在图形处理应用中,H5PS1G83KFR-S6C的高带宽特性使其能够快速处理大量的图形数据,提升图形渲染效率和显示质量。
此外,该芯片也适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统、通信设备和嵌入式系统。其低功耗设计使其在电池供电设备中也具有良好的应用前景,例如移动设备和便携式电子产品。
H5PS1G83KFC-S6C, H5PS1G83KFR-S6T