时间:2025/12/28 2:24:06
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CBW160808U182是一款由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的多层陶瓷片式压敏电阻器(MLV,Multi-Layer Varistor),主要用于电子电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件采用小型表面贴装封装,尺寸为1608公制代码(即1.6mm x 0.8mm),高度约为0.8mm,适用于高密度贴装的便携式电子产品。CBW160808系列专为应对高频信号线路和电源线路中的瞬态过电压而设计,具备快速响应、低电容、高可靠性等优点。该型号中的“U182”表示其标称电压为18V,允许有一定的电压容差范围,适用于3.3V至5V的工作电路中。CBW160808U182广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线通信模块及其他对空间和性能要求较高的消费类电子产品中,提供对敏感半导体器件的有效保护。
产品类型:多层陶瓷压敏电阻(MLV)
尺寸代码:1608(1.6 x 0.8 mm)
高度:0.8 mm
标称电压(Vn):18 V
最大工作电压(DC):15 V
击穿电压(Typ.):20.5 V
钳位电压(8/20μs):约28 V(典型值)
电容值(@1MHz, 1V):约90 pF
额定能量耐受(8/20μs):5 A(峰值电流)
ESD耐受能力(IEC 61000-4-2):±15 kV(接触放电)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
焊接方式:回流焊(符合J-STD-020标准)
CBW160808U182具备优异的瞬态电压抑制能力,特别针对静电放电(ESD)事件进行了优化设计。其核心材料采用高性能陶瓷介质与内部电极交错叠层结构,形成非线性电压-电流特性,在正常工作电压下呈现高阻抗状态,漏电流极小,几乎不影响原电路功能;当遭遇超过阈值的瞬态过电压时,器件迅速进入低阻态,将多余能量泄放到地,从而保护后级IC不受损害。该器件的响应时间极短,通常在纳秒级别,能够有效应对如人体模型(HBM)、机器模型(MM)及IEC标准规定的系统级ESD脉冲。此外,CBW160808U182具有较低的寄生电容(典型值90pF),确保在高速数据线路(如USB 2.0、HDMI、音频接口等)中不会引起信号失真或衰减,保持信号完整性。
该压敏电阻采用全固态结构,无机械部件或气体放电机制,因此寿命长、稳定性好,并可在宽温范围内可靠工作(-55°C至+125°C)。其小型化封装符合现代电子产品微型化趋势,适合自动化贴片生产流程,且满足RoHS和REACH环保要求。村田独有的材料配方和烧结工艺保证了批次一致性与高可靠性,经过严格的老化测试和环境应力筛选,能够在恶劣工况下长期稳定运行。该器件还具备良好的耐重复冲击性能,可多次承受规定等级的ESD脉冲而不发生性能退化,是替代传统TVS二极管的一种高性能选择,尤其适用于空间受限但需高保护等级的应用场景。
CBW160808U182主要应用于各类便携式消费电子产品中需要进行ESD保护的节点。典型用途包括智能手机和平板电脑的USB接口、耳机插孔、SIM卡槽、LCD排线接口等易受外部静电侵入的位置。在无线通信模块中,可用于保护Wi-Fi、蓝牙、NFC等射频前端电路免受人为或环境引起的瞬态干扰。此外,该器件也适用于工业控制设备的小信号线路防护、医疗电子设备的人机交互接口以及汽车电子中的低速数据总线(如LIN、部分CAN分支)保护。由于其低电容特性,非常适合用于传输速率较高的数字信号线路,例如USB 2.0高速模式(480Mbps),在不牺牲信号质量的前提下提供可靠的过压保护。在电源管理单元中,可作为次级侧的辅助保护元件,防止因用户误操作或外部连接器插拔产生的瞬态电压损坏PMIC或LDO等敏感器件。整体而言,该器件适用于所有要求小型化、高性能瞬态抑制解决方案的设计场合。
Bourns MLE1812-180-SC
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