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STW13NK50Z 发布时间 时间:2025/7/23 13:32:55 查看 阅读:14

STW13NK50Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高电压、高功率N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机控制、照明系统以及工业自动化等领域。该器件采用了先进的MDmesh?技术,提供了卓越的导通和开关性能,同时具备高耐用性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):13A(Tc=25℃)
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-247
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(典型值)
  输入电容(Ciss):1100pF(典型值)
  开启电压(Vgs(th)):2~4V

特性

STW13NK50Z 的核心优势在于其采用了STMicroelectronics独有的MDmesh?技术,这种技术显著降低了导通电阻并提升了器件的开关性能,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。该MOSFET具有较高的热稳定性和抗过载能力,适用于高要求的工业环境。
  其高栅极电荷特性(Qg)支持快速开关操作,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。此外,该器件具备较强的雪崩能量承受能力,可以在瞬态过压条件下提供更高的可靠性和耐用性。
  在封装方面,TO-247封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该封装还简化了PCB布局,并提升了热管理和长期稳定性。整体而言,STW13NK50Z 是一款适用于高电压、高功率应用的理想功率开关器件。

应用

STW13NK50Z 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS系统、工业电机控制、电子镇流器、LED照明驱动以及高功率充电器等场合。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻的特性,特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。

替代型号

STW20NK50Z, STW12NK50Z, IRFZ44N, FDPF13N50

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STW13NK50Z参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-7616-5STW13NK50Z-ND