STW13NK50Z 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高电压、高功率N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机控制、照明系统以及工业自动化等领域。该器件采用了先进的MDmesh?技术,提供了卓越的导通和开关性能,同时具备高耐用性和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):13A(Tc=25℃)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-247
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(典型值)
输入电容(Ciss):1100pF(典型值)
开启电压(Vgs(th)):2~4V
STW13NK50Z 的核心优势在于其采用了STMicroelectronics独有的MDmesh?技术,这种技术显著降低了导通电阻并提升了器件的开关性能,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。该MOSFET具有较高的热稳定性和抗过载能力,适用于高要求的工业环境。
其高栅极电荷特性(Qg)支持快速开关操作,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。此外,该器件具备较强的雪崩能量承受能力,可以在瞬态过压条件下提供更高的可靠性和耐用性。
在封装方面,TO-247封装形式具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该封装还简化了PCB布局,并提升了热管理和长期稳定性。整体而言,STW13NK50Z 是一款适用于高电压、高功率应用的理想功率开关器件。
STW13NK50Z 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS系统、工业电机控制、电子镇流器、LED照明驱动以及高功率充电器等场合。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻的特性,特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。
STW20NK50Z, STW12NK50Z, IRFZ44N, FDPF13N50