时间：2025/12/29 13:17:56
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PE42521MLBA-Z 是由 Peregrine Semiconductor（现为 Qorvo）生产的一款高性能射频（RF）开关芯片，属于 UltraCMOS 系列。该器件采用单刀双掷（SPDT）配置，工作频率范围覆盖从直流（DC）到高达 2.5 GHz，适用于多种无线通信和射频前端应用。PE42521MLBA-Z 采用 10 引脚 TDFN 封装，具备低插入损耗、高隔离度和快速切换时间的特性，适合对性能和可靠性有较高要求的设计。
类型：射频开关
配置：单刀双掷（SPDT）
工作频率：DC 至 2.5 GHz
插入损耗：典型值 0.25 dB（在 1 GHz）
隔离度：典型值 45 dB（在 1 GHz）
切换时间：典型值 300 ns
VSWR：1.15:1（典型值）
控制电压：1.8V 至 3.3V 兼容
封装类型：10-TDFN
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
PE42521MLBA-Z 的核心优势在于其基于 Peregrine 的 UltraCMOS 技术，这是一种高性能的硅基 RF CMOS 工艺，具有优异的射频性能、低功耗和高集成度。该器件的低插入损耗（在 1 GHz 下典型值为 0.25 dB）确保了信号传输的高效率，而高隔离度（在 1 GHz 下典型值为 45 dB）则有效减少了不同路径之间的信号干扰。
该开关支持从直流到 2.5 GHz 的宽频率范围，使其适用于多种射频和微波应用。其快速切换时间（典型值为 300 ns）使其能够适应需要快速频率切换的系统，如软件定义无线电（SDR）和多频段通信设备。
PE42521MLBA-Z 支持 1.8V 至 3.3V 的控制电压，具有良好的逻辑兼容性，适用于现代低电压数字系统。此外，其 10-TDFN 小型封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度 PCB 设计中布局。
该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用，如车载通信、工业控制系统和户外基站设备。
PE42521MLBA-Z 主要用于需要高性能射频切换的场合。常见的应用包括无线基础设施设备，如基站和中继器；测试与测量设备，如频谱分析仪和信号发生器；以及工业和医疗射频设备。此外，它也适用于消费类电子产品中的射频前端模块，例如智能手机、平板电脑和物联网（IoT）设备中的天线切换和信号路径控制。
由于其宽频带特性和低功耗设计，PE42521MLBA-Z 在多频段通信系统中也表现出色，如 4G LTE、Wi-Fi 6 和 5G 毫米波前传系统。在软件定义无线电和认知无线电系统中，该开关能够实现快速频率切换和信号路径优化，提升系统灵活性和性能。
此外，PE42521MLBA-Z 还可用于雷达系统、卫星通信设备和射频识别（RFID）读写器，满足这些领域对高可靠性和高性能射频开关的需求。
HMC649ALP4E, SKY13350-346LF, PE42520MLBA-Z
