CBR08C408A1GAC 是一款陶瓷电容器,属于 CBR 系列,主要用于高频电路中的滤波、耦合和旁路等应用。该电容器采用多层陶瓷技术(MLCC),具有高稳定性和低损耗的特点,能够在较宽的温度范围内保持性能稳定。
这款电容器的工作电压较高,容量适中,适合在电源管理模块、射频电路以及通信设备中使用。
型号:CBR08C408A1GAC
类型:多层陶瓷电容器 (MLCC)
容量:4.7nF
额定电压:50V
容差:±5%
尺寸:0805
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:表面贴装 (SMD)
介质材料:C0G (NP0)
CBR08C408A1GAC 具有以下显著特性:
1. 高稳定性:采用 C0G (NP0) 介质,使得电容器在温度变化、电压变化及时间老化的情况下仍能保持极高的稳定性。
2. 低损耗:具有极低的介质损耗因数,适用于高频应用场景。
3. 小型化设计:0805 封装使其适合紧凑型电路板设计。
4. 广泛的工作温度范围:能够适应极端环境条件,确保在工业和汽车领域中的可靠运行。
5. 表面贴装技术 (SMD):易于自动化装配,提高生产效率。
6. 容量精度高:±5% 的容差确保了电路设计中的精确性。
CBR08C408A1GAC 主要应用于以下领域:
1. 高频滤波:用于射频电路中的信号滤波和噪声抑制。
2. 耦合与去耦:在电源电路中用作耦合电容或去耦电容,以减少电源噪声。
3. 振荡电路:作为振荡电路中的关键元件,提供稳定的频率响应。
4. 数据通信设备:适用于路由器、交换机和其他通信设备中的高频信号处理。
5. 工业控制:在各种工业控制系统中用作滤波和信号调理。
6. 汽车电子:满足汽车环境中对高温和高可靠性要求的应用场景。
CBR08C408A1GATC, Kemet C0805C470J5GACTU, TDK C0G105K470J0805