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G5628 发布时间 时间:2025/7/23 9:24:05 查看 阅读:5

G5628 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频应用,例如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效功率管理的场合。G5628 是一款N沟道增强型MOSFET,采用高密度单元设计,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能。该器件通常封装在TO-252或类似的表面贴装封装中,便于散热和在PCB上的安装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):≤2.8mΩ(典型值)
  功耗(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

G5628 MOSFET采用了先进的沟槽式技术,提供非常低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。此外,该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  其快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频开关应用。此外,G5628具备较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在瞬态过电压情况下的可靠性。
  由于其优异的导热性能和紧凑的封装设计,G5628非常适合在空间受限的环境中使用,例如便携式电源设备、车载电子系统和工业控制设备中。同时,其表面贴装封装也便于自动化生产和焊接。

应用

G5628 MOSFET广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  ? 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器
  ? DC-DC转换器,如降压(Buck)或升压(Boost)转换器
  ? 电动工具、无人机和机器人中的电机驱动电路
  ? 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关
  ? 车载电子设备中的功率控制模块
  ? 工业自动化设备中的高频逆变器和电源模块

替代型号

SiR142DP-T1-GE, IRF1404, AUIRF1404, FDP6675, STP120N6F2

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