时间：2025/6/28 14:11:26
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CBR08C309B1GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率转换芯片，专为高频率、高效率应用场景设计。该芯片将 GaN 场效应晶体管 (FET) 和驱动器集成在一起，从而简化了电源设计流程，并提供了卓越的性能表现。
CBR08C309B1GAC 的主要目标市场包括快充适配器、数据中心电源、工业电源以及消费类电子设备等需要高频和高效能的应用场景。
型号：CBR08C309B1GAC
封装形式：LLP8
工作电压：100V
导通电阻：200mΩ
最大电流：8A
栅极电荷：15nC
开关频率：支持高达 5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
CBR08C309B1GAC 具备以下显著特点：
1. 高效的氮化镓技术使其能够以更小的尺寸实现更高的功率密度。
2. 内置驱动器减少了外围元件数量，从而降低了整体设计复杂度和成本。
3. 支持超高开关频率（可达 5MHz），非常适合高频 AC-DC 或 DC-DC 转换应用。
4. 提供较低的导通电阻（200mΩ），有助于减少功率损耗。
5. 集成了全面的保护功能，例如过温保护、短路保护等，确保芯片在各种条件下安全运行。
6. 封装形式紧凑，适合空间受限的设计需求。
这些特性的结合使 CBR08C309B1GAC 成为现代高效电源设计的理想选择。
CBR08C309B1GAC 广泛应用于以下领域：
1. 快速充电器：支持 USB-PD 协议的高效快充解决方案。
2. 数据中心电源：用于服务器和网络设备的高效率电源模块。
3. 工业电源：包括 LED 驱动器、通信电源等高频高效率场景。
4. 消费类电子设备：如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
5. 开关电源 (SMPS)：各类需要高频切换的 DC-DC 和 AC-DC 转换器。
这款芯片因其卓越的性能，在上述应用中可以显著提升系统效率并减小产品体积。
CBR08C309B1GAQ, CBR08C309B1GAT
