时间：2025/3/24 15:50:44
阅读：11
DMP2035UVT-7是一款N沟道增强型MOSFET，采用超小型DFN1x2-8封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路等应用。其优化的性能使其成为高效能电源管理的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：6mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：220pF
工作温度范围：-55℃至150℃
DMP2035UVT-7的主要特点是低导通电阻，仅为6mΩ，这有助于减少功率损耗并提高效率。同时，该器件具备快速开关能力，栅极电荷低至4nC，能够有效降低开关损耗。
此外，它采用了紧凑的DFN1x2-8封装，适合空间受限的应用场合。器件还具有出色的热稳定性和高可靠性，能够在-55℃至150℃的工作温度范围内正常运行。
该器件广泛应用于消费类电子产品的电源管理中，例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关和DC-DC转换器。此外，它还可用于电池保护电路、电机驱动以及各种需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。
DMP2036UVT-7
