您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CBR08C160G1GAC

CBR08C160G1GAC 发布时间 时间:2025/5/15 12:44:46 查看 阅读:6

CBR08C160G1GAC 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,具有高效率、高速开关和低反向恢复电荷的特点。该器件适用于高频开关电路和功率转换应用,其出色的性能使得它成为传统硅基二极管的理想替代品。
  CBR08C160G1GAC 的主要特点包括:采用先进的 SiC 材料制造工艺,显著降低导通损耗和开关损耗;具备较高的额定电压和较低的正向压降,能够在高温环境下稳定工作。

参数

最大反向电压:1600V
  最大平均整流电流:8A
  最大峰值整流电流:160A
  正向电压(IF=8A):≤2.5V
  反向漏电流(VR=1600V, TJ=25℃):≤100μA
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247-3

特性

CBR08C160G1GAC 具有以下显著特性:
  1. 使用碳化硅材料,使其在高频和高温条件下表现出优异的性能。
  2. 高额定电压(1600V),适合高压应用场景,如太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源(UPS)。
  3. 极低的反向恢复电荷(Qrr),从而减少开关损耗并提高系统效率。
  4. 稳定的正向压降,确保在大电流条件下具有较低的功耗。
  5. 支持宽温度范围操作,适应恶劣环境下的工业应用。

应用

CBR08C160G1GAC 广泛应用于以下领域:
  1. 太阳能光伏逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换电路。
  2. 电动汽车充电基础设施中的功率变换模块。
  3. 工业电机驱动中的高频整流电路。
  4. 不间断电源(UPS)系统的高效整流部分。
  5. 高频开关电源(SMPS)中的整流和续流二极管。

替代型号

CBR10C160G1GAC, CBR12C160G1GAC

CBR08C160G1GAC推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CBR08C160G1GAC参数

  • 数据列表CBR08C160G1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容16pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-