CBR08C160G1GAC 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,具有高效率、高速开关和低反向恢复电荷的特点。该器件适用于高频开关电路和功率转换应用,其出色的性能使得它成为传统硅基二极管的理想替代品。
CBR08C160G1GAC 的主要特点包括:采用先进的 SiC 材料制造工艺,显著降低导通损耗和开关损耗;具备较高的额定电压和较低的正向压降,能够在高温环境下稳定工作。
最大反向电压:1600V
最大平均整流电流:8A
最大峰值整流电流:160A
正向电压(IF=8A):≤2.5V
反向漏电流(VR=1600V, TJ=25℃):≤100μA
结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-247-3
CBR08C160G1GAC 具有以下显著特性:
1. 使用碳化硅材料,使其在高频和高温条件下表现出优异的性能。
2. 高额定电压(1600V),适合高压应用场景,如太阳能逆变器、电机驱动和不间断电源(UPS)。
3. 极低的反向恢复电荷(Qrr),从而减少开关损耗并提高系统效率。
4. 稳定的正向压降,确保在大电流条件下具有较低的功耗。
5. 支持宽温度范围操作,适应恶劣环境下的工业应用。
CBR08C160G1GAC 广泛应用于以下领域:
1. 太阳能光伏逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换电路。
2. 电动汽车充电基础设施中的功率变换模块。
3. 工业电机驱动中的高频整流电路。
4. 不间断电源(UPS)系统的高效整流部分。
5. 高频开关电源(SMPS)中的整流和续流二极管。
CBR10C160G1GAC, CBR12C160G1GAC