类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.115Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值为4.5V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

IXGR40N60CDI具有多项优异特性，包括高击穿电压（600V）和低导通电阻（RDS(on)）以降低导通损耗，提高能效。其高电流承载能力（40A）使其适用于高功率密度设计。该器件采用了先进的平面技术，确保了高稳定性和可靠性。
　　此外，IXGR40N60CDI具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。这种MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，有助于在瞬态过载条件下保护器件不受损坏。
　　TO-247封装形式提供了良好的散热性能，并且易于集成到各种PCB设计中。该器件符合RoHS标准，适用于环保和可持续发展的电子产品设计。

IXGR40N60CDI广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、工业电机驱动器和电源管理系统。由于其低导通电阻和高开关速度，IXGR40N60CDI在提高系统效率方面表现出色。
　　在开关电源设计中，该MOSFET可以用于高频率转换器，提供更高的功率密度和更低的损耗。在工业自动化和电机控制中，IXGR40N60CDI可以用于高负载条件下的功率开关，提供可靠的性能。此外，该器件也适用于高功率LED照明系统、电池充电器和电焊设备等应用。

STP40N60DM2, FCP40N60, SPW40N60C3