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RSB5.6STE61 发布时间 时间:2025/11/8 4:20:05 查看 阅读:5

RSB5.6STE61是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压基准和过压保护电路中。该器件的标称齐纳电压为5.6V,属于低功率稳压二极管,适用于多种模拟和数字电子系统中的电压调节与箝位应用。其封装形式为SOD-323(也称为SC-70或TSSOP-3),是一种小型表面贴装器件(SMD),非常适合在空间受限的印刷电路板(PCB)上使用。RSB5.6STE61具有良好的温度稳定性和动态阻抗特性,能够在较宽的工作温度范围内提供稳定的参考电压。这款齐纳二极管广泛应用于便携式设备、电源管理单元、传感器接口、微控制器供电系统以及信号调理电路中。由于其5.6V的击穿电压接近于零温度系数点(通常在5V至6V之间),因此在需要高精度电压参考的应用中表现出色。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备优良的可靠性与长期稳定性,适合工业级和消费类电子产品的设计需求。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单向
  标称齐纳电压:5.6 V
  容差:±5%
  最大耗散功率:200 mW
  工作温度范围:-65 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-65 °C 至 +150 °C
  封装/包装:SOD-323 (SC-70)
  测试电流:5 mA
  动态阻抗(典型值):10 Ω
  漏电流(最大值):1 μA @ 1V

特性

RSB5.6STE61齐纳二极管的核心特性之一是其5.6V的标称稳压值,这一电压值恰好位于硅基齐纳二极管温度系数最小的区域附近,使得其在温度变化时仍能保持较高的电压稳定性。这种低温度系数特性使其成为精密电压参考源的理想选择,特别适用于对温漂敏感的模拟电路,如运算放大器偏置、ADC/DAC参考电压等。该器件采用先进的制造工艺,确保了批次间的一致性和长期工作的可靠性。
  其SOD-323封装不仅体积小巧,便于高密度布局,还具备良好的热传导性能和焊接可靠性,支持自动化贴片生产流程。该封装符合现代电子制造对小型化和轻薄化的趋势要求,适用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点等紧凑型电子产品。
  RSB5.6STE61具有较低的动态阻抗(典型值约10Ω),这意味着在负载电流波动时,输出电压的变化较小,从而提高了稳压精度。同时,其最大反向漏电流仅为1μA(在1V偏压下),保证了在低功耗待机模式下的能耗极低,有利于延长电池供电设备的续航时间。
  该器件的最大功率耗散为200mW,在正常工作条件下无需额外散热措施即可稳定运行。它能在5mA的标准测试电流下维持精确的5.6V稳压输出,且电压容差控制在±5%以内,满足大多数通用稳压和保护电路的需求。此外,其宽达-65°C至+150°C的工作与存储温度范围,使其可在极端环境条件下可靠工作,适用于汽车电子、工业控制等严苛应用场景。

应用

RSB5.6STE61常用于各类电子系统中的电压基准建立,例如作为微控制器或比较器的参考电压源,以确保系统在不同供电条件下仍能准确判断阈值电平。在电源管理电路中,它可以用于低压差线性稳压器(LDO)的反馈网络中,提升输出电压的精度与稳定性。此外,该器件也广泛应用于过压保护电路,通过并联方式将瞬态高压引导至地,从而保护后续敏感元件免受损坏。
  在传感器信号调理电路中,RSB5.6STE61可用于提供稳定的偏置电压或进行信号箝位,防止输入信号超出ADC的采样范围。在通信接口(如I2C、UART)中,该齐纳二极管可用于ESD防护和电平箝位,提高系统的电磁兼容性(EMC)性能。
  由于其低功耗和小尺寸特性,该器件非常适合用于便携式医疗设备、智能家居传感器、无线模块、电池管理系统(BMS)等对空间和能耗有严格要求的产品中。在汽车电子领域,可用于车载传感器、ECU辅助电源监控、LED驱动电路中的电压钳位等功能。

替代型号

BZT52C5V6-E3-08
  MMBZ5231B-7-F
  PMBZ5231B,215
  SZMM3Z5V6-ST
  ZMM5V6

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RSB5.6STE61参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)2.5V
  • 电压 - 击穿4.76V
  • 功率(瓦特)10W
  • 电极标记双向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳EMD2
  • 供应商设备封装EMD2
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称RSB5.6STE61DKR