CBR08C160F1GAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料制造的肖特基二极管。该器件具有高耐压、低导通损耗和快速恢复时间的特点,适合应用于高频开关电源、太阳能逆变器、电动车充电系统以及其他高效率电力电子设备中。
CBR08C160F1GAC 的设计旨在满足现代电力转换系统对高效能和可靠性的要求,其卓越的性能使其在高温和高功率密度环境下表现出色。
最大反向电压:1200V
正向电流:8A
正向压降:1.4V(典型值)
结电容:30pF(最大值)
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3
CBR08C160F1GAC 采用了先进的 SiC 技术,具备以下特点:
1. 高耐压能力,能够承受高达 1200V 的反向电压,适用于高压应用环境。
2. 极低的正向压降,可显著降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速恢复时间(通常小于 50ns),减少开关损耗。
4. 良好的热性能,允许其在较高的结温下稳定运行。
5. 具备出色的抗浪涌能力和可靠性,能够适应严苛的工作条件。
这些特性使得 CBR08C160F1GAC 成为高频、高压电力电子领域中的理想选择。
CBR08C160F1GAC 广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源 (SMPS),例如服务器电源和通信电源。
2. 太阳能光伏逆变器,用于高效的直流到交流转换。
3. 电动车充电桩和车载充电器,提供高效率的电能传输。
4. 工业电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 风力发电和其他可再生能源转换系统。
由于其优异的性能,CBR08C160F1GAC 在各种高功率密度和高效率需求的应用场景中表现出色。
CBR08C1200F1GA, CBR10C1200F1GA