时间：2025/9/15 17:00:59
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HSMS-285B-TR2G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的表面贴装封装（SOT-23）肖特基二极管组件，主要应用于射频（RF）和高速开关电路。该器件采用两个肖特基二极管，具有低正向电压降和快速恢复时间，使其适用于各种高频信号处理和功率管理应用。
类型：肖特基二极管
封装：SOT-23
配置：双二极管
最大正向电流：100 mA
最大反向电压：30 V
正向电压（典型值）：0.31 V（@ 10 μA）
反向漏电流：100 nA（@ 25°C）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-65°C 至 150°C
封装材料：塑料/环氧树脂
安装类型：表面贴装
HSMS-285B-TR2G具有多个显著特性，适用于高频和低功耗应用。首先，该器件采用肖特基结构，具有较低的正向电压降，通常在10 μA电流下仅为0.31 V，这有助于减少电路中的能量损耗。其次，它的反向漏电流在25°C下最大为100 nA，保证了在高阻断电压下的良好性能。此外，HSMS-285B-TR2G的封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适用于空间受限的设计。该器件的双二极管配置使其能够在多种电路拓扑中使用，如检波器、混频器、整流电路以及RF信号检测。HSMS-285B-TR2G的工作温度范围为-55°C至150°C，具有较强的环境适应性，适合工业级和汽车电子应用。最后，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。
HSMS-285B-TR2G广泛应用于射频（RF）电路、通信系统、测试设备和传感器接口等领域。在RF系统中，它可以用于信号检波、混频器电路和功率检测模块。由于其快速恢复时间和低正向电压降，它也适用于高速开关电路和低功耗整流应用。此外，该器件还常用于电池供电设备、便携式电子产品和汽车电子模块中的信号处理和电源管理电路。
HSMS-285C-TR2G, HSMS-286B-TR2G, HSMS-282B-TR2G
