QTC4N26 是一款广泛应用于功率控制和开关电路中的达林顿晶体管。它由两个NPN晶体管组成,内部连接为达林顿结构,提供高电流增益和较大的集电极电流容量。该器件常用于需要高增益和大电流驱动能力的场合,如电机控制、继电器驱动、电源开关等。QTC4N26 通常采用 TO-92 或类似的小功率晶体管封装,具有良好的热稳定性和可靠性。
晶体类型:NPN 达林顿晶体管
集电极-发射极电压(Vce):最大 30V
集电极-基极电压(Vcb):最大 30V
发射极-基极电压(Veb):最大 5V
集电极电流(Ic):最大 100mA
功耗(Pd):最大 300mW
电流增益(hFE):典型值 10000(最小 4000)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
QTC4N26 是一款高效的达林顿晶体管,其核心优势在于高电流增益,能够将微小的基极电流放大成较大的集电极电流,从而实现对高功率负载的有效控制。其达林顿结构由两个NPN晶体管组成,内部连接方式确保了良好的电流放大性能和稳定性。
该晶体管具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。其 TO-92 封装设计使得它在各种电路板上易于安装和散热。此外,QTC4N26 的最大集电极电流为 100mA,适用于多种低功率开关和驱动应用。
这款晶体管还具有较高的耐压能力,集电极-发射极电压最大可达 30V,使其适用于多种中低压功率控制场合。QTC4N26 的功耗较低,适合在对功耗敏感的电路中使用,同时其封装形式也便于通过 PCB 布局进行散热管理。
该器件广泛用于各种电子控制系统,包括电机控制、继电器驱动、LED 驱动、电源管理等,是一款非常实用的通用型达林顿晶体管。
QTC4N26 主要用于需要高电流增益和中低功率开关控制的电路中。常见应用包括继电器驱动电路、电机控制电路、LED 驱动电路、自动控制电路、定时器和报警系统等。由于其高增益特性,QTC4N26 可以作为开关元件用于微控制器输出端的扩展,实现对高功率负载的控制。此外,该晶体管也可用于音频放大电路和信号放大电路中,适用于需要高输入阻抗和高增益的场景。
QTC2N26, MPSA28, ULN2003(阵列形式)