时间：2025/6/3 13:08:57
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CBR06C608B1GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率电子元件，属于氮化镓场效应晶体管（GaN FET）系列。该器件采用先进的增强型设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用领域。
此型号集成了优化的栅极驱动特性，支持简单且可靠的电路设计。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，能够显著减少寄生电感，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：6A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装类型：LFPAK EdgeClip
CBR06C608B1GAC具备卓越的电气和物理特性，使其成为现代高效功率转换的理想选择。
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达600V，适用于多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅8mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗，提升了效率。
3. 快速开关性能：由于采用了先进的GaN技术，其开关频率远超传统硅基MOSFET，非常适合高频电路。
4. 减少寄生效应：特别设计的封装形式大幅降低封装内寄生电感，进一步改善动态性能。
5. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行，适合工业级和汽车级应用环境。
6. 易于驱动：集成的栅极驱动特性简化了外部驱动电路的设计复杂度。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC适配器、USB-PD充电器等产品中。
2. DC-DC转换器：用于服务器、通信设备中的高效电源模块。
3. 电机驱动：电动汽车、家用电器中的逆变器和控制器。
4. 能量存储系统：如电池管理系统中的双向DC-DC变换器。
5. 可再生能源转换：太阳能微型逆变器及风能发电中的功率调节单元。
CBR06C6508B1GAC, CBR06C6008B1GAC
