CBR06C608B1GAC是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率电子元件,属于氮化镓场效应晶体管(GaN FET)系列。该器件采用先进的增强型设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用领域。
此型号集成了优化的栅极驱动特性,支持简单且可靠的电路设计。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装,能够显著减少寄生电感,从而提升整体系统效率。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:6A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装类型:LFPAK EdgeClip
CBR06C608B1GAC具备卓越的电气和物理特性,使其成为现代高效功率转换的理想选择。
1. 高耐压能力:额定漏源电压高达600V,适用于多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻:仅8mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗,提升了效率。
3. 快速开关性能:由于采用了先进的GaN技术,其开关频率远超传统硅基MOSFET,非常适合高频电路。
4. 减少寄生效应:特别设计的封装形式大幅降低封装内寄生电感,进一步改善动态性能。
5. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行,适合工业级和汽车级应用环境。
6. 易于驱动:集成的栅极驱动特性简化了外部驱动电路的设计复杂度。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、USB-PD充电器等产品中。
2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备中的高效电源模块。
3. 电机驱动:电动汽车、家用电器中的逆变器和控制器。
4. 能量存储系统:如电池管理系统中的双向DC-DC变换器。
5. 可再生能源转换:太阳能微型逆变器及风能发电中的功率调节单元。
CBR06C6508B1GAC, CBR06C6008B1GAC