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CBR06C608B1GAC 发布时间 时间:2025/6/3 13:08:57 查看 阅读:4

CBR06C608B1GAC是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率电子元件,属于氮化镓场效应晶体管(GaN FET)系列。该器件采用先进的增强型设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用领域。
  此型号集成了优化的栅极驱动特性,支持简单且可靠的电路设计。其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装,能够显著减少寄生电感,从而提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:6A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  反向恢复时间:30ns
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装类型:LFPAK EdgeClip

特性

CBR06C608B1GAC具备卓越的电气和物理特性,使其成为现代高效功率转换的理想选择。
  1. 高耐压能力:额定漏源电压高达600V,适用于多种高压应用场景。
  2. 极低导通电阻:仅8mΩ的导通电阻有效降低了传导损耗,提升了效率。
  3. 快速开关性能:由于采用了先进的GaN技术,其开关频率远超传统硅基MOSFET,非常适合高频电路。
  4. 减少寄生效应:特别设计的封装形式大幅降低封装内寄生电感,进一步改善动态性能。
  5. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行,适合工业级和汽车级应用环境。
  6. 易于驱动:集成的栅极驱动特性简化了外部驱动电路的设计复杂度。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、USB-PD充电器等产品中。
  2. DC-DC转换器:用于服务器、通信设备中的高效电源模块。
  3. 电机驱动:电动汽车、家用电器中的逆变器和控制器。
  4. 能量存储系统:如电池管理系统中的双向DC-DC变换器。
  5. 可再生能源转换:太阳能微型逆变器及风能发电中的功率调节单元。

替代型号

CBR06C6508B1GAC, CBR06C6008B1GAC

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CBR06C608B1GAC参数

  • 数据列表CBR06C608B1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容0.60pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.034"(0.87mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-