时间：2025/6/21 20:35:49
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CBR06C130G5GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频、高压应用场景设计。该器件采用了先进的GaN-on-Silicon技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于电源管理、无线充电、D类音频放大器以及工业自动化等领域。
该型号属于CREES GaN HEMT系列，其封装形式为QFN，能够显著提高系统的整体效率并减少热量损耗。
额定电压：600V
额定电流：130A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
最大工作温度：175°C
热阻（结到壳）：0.2°C/W
封装类型：QFN
开关频率范围：高达5MHz
CBR06C130G5GAC的核心优势在于其卓越的电气性能与可靠性：
1. 采用增强型模式（E-Mode）GaN HEMT结构，简化了驱动电路设计，并确保在正常操作条件下保持稳定的开启状态。
2. 极低的导通电阻有效减少了传导损耗，从而提高了系统效率。
3. 快速开关能力使其非常适合高频应用场合，例如DC-DC转换器和LLC谐振变换器。
4. 内置保护功能如过流保护和短路保护，增强了器件的安全性和稳定性。
5. 高温适应性使得它能够在严苛环境下持续运行。
这款功率设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS），特别是需要高效率和高功率密度的设计。
2. 工业电机驱动器，用于实现更精确的速度控制和更高的能源利用率。
3. 新能源领域中的光伏逆变器及储能系统。
4. 电动汽车（EV）充电桩解决方案。
5. 高性能计算服务器中的电源模块。
6. 航空航天和国防领域的特殊电源需求。
CBR06C100G5GAC, CBR06C150G5GAC
