HVC350B1BTRF 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)功率器件,采用先进的沟槽式(Trench)技术,具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备中。HVC350B1BTRF采用小型表面贴装封装(SOP),适用于高密度PCB布局,具有良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:3.5A
最大漏-源电压:30V
导通电阻(Rds(on)):85mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:11nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOP8
HVC350B1BTRF具有多项优异特性,首先是其低导通电阻,仅85mΩ,确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗,提高整体系统效率。其漏-源电压额定值为30V,适用于中低压功率转换应用,例如DC-DC降压/升压电路、同步整流器等。该MOSFET采用先进的沟槽式结构,使得导通电阻和开关损耗之间取得良好的平衡,同时具备出色的热稳定性。
此外,HVC350B1BTRF的栅极电荷仅为11nC,有助于实现快速开关操作,减少开关过程中的能量损耗,特别适用于高频开关电源应用。其SOP8封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产,提高焊接可靠性和热管理能力。器件的工作温度范围为-55°C至150°C,满足工业级环境要求,适用于严苛工作条件下的电源管理系统。
在保护性能方面,HVC350B1BTRF具备良好的短路和过热耐受能力,能够在瞬态负载条件下保持稳定运行,适用于高可靠性要求的应用场景,如工业控制、汽车电子外围电路、便携式设备电源管理等。
HVC350B1BTRF广泛应用于多种功率电子系统中,例如:1. 电源管理模块,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关;2. 电池供电设备,包括便携式电子设备、无线通信模块和智能传感器节点;3. 工业控制系统,如PLC模块、伺服电机驱动器和继电器替代电路;4. 汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载娱乐系统电源管理;5. LED驱动电路、智能照明系统和节能电源适配器。
由于其低导通电阻和快速开关特性,HVC350B1BTRF在高频开关电源和高效能转换电路中表现出色,尤其适用于要求高效率和紧凑设计的嵌入式系统。该器件的SOP8封装形式也使其非常适合用于高密度PCB设计,提升整体系统的可靠性和可制造性。
Si2302DS, IRF7404, AO3400A, FDS6675, IPD90N03C4-01