时间：2025/6/16 21:31:31
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CBR04C909C1GAC 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，专为高频、高功率密度应用设计。该芯片具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、通信设备以及工业电源等场景。
其封装形式为紧凑型表面贴装，能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。此外，该器件具备良好的热性能和可靠性，可显著提升系统的整体效率。
型号：CBR04C909C1GAC
类型：GaN 功率晶体管
额定电压：650V
额定电流：9A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：30nC
最大工作温度：-55°C 至 +175°C
封装形式：PQFN 8x8mm
工作频率范围：高达 2MHz
CBR04C909C1GAC 拥有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (9mΩ)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，适合高频应用。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，提升了器件的鲁棒性。
4. GaN 技术的应用使其能够在更高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗。
5. 紧凑型封装设计降低了寄生电感的影响，进一步优化了高频性能。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
这些特性使得 CBR04C909C1GAC 成为高效能功率转换应用的理想选择。
CBR04C909C1GAC 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，用于服务器、通信基站及电动汽车充电设备。
2. 开关模式电源 (SMPS)，提供高效的能量转换。
3. 工业电机驱动器和逆变器控制。
4. 可再生能源系统中的功率调节模块，例如太阳能逆变器。
5. 笔记本电脑适配器和其他便携式电子设备的快充解决方案。
由于其出色的效率和高频性能，CBR04C909C1GAC 在需要高功率密度和小体积的设计中表现出色。
CBR04C808C1GAC, CBR04C910C1GAC
