时间：2025/7/10 13:15:50
阅读：15
CBR04C508A3GAC是一种陶瓷片式多层电容器（MLCC），主要用于高频电路中的滤波、耦合和旁路等功能。该型号属于高Q值、低ESR的射频电容器，适用于通信设备、无线模块和其他需要高性能电容特性的应用场景。
CBR04C508A3GAC采用C0G介质材料制造，具有温度稳定性好、容量漂移小的特点。其尺寸紧凑，适合表面贴装技术（SMT）工艺，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
标称电容：50pF
额定电压：50V
介质类型：C0G/NP0
封装尺寸：0402 (1005公制)
公差：±5%
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
频率特性：适用于高达GHz级别的高频应用
绝缘电阻：大于10GΩ
损耗角正切：小于0.001
CBR04C508A3GAC采用了先进的多层陶瓷工艺制造，具有以下特点：
1. 高Q值和低ESR特性，适合高频射频电路设计。
2. C0G介质提供了出色的温度稳定性，电容值随温度变化非常小，确保在宽温范围内性能一致。
3. 小型化设计，便于集成到高密度PCB布局中。
4. 良好的抗机械应力能力，提高了产品的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅。
6. 支持自动化表面贴装工艺，适合大规模生产。
CBR04C508A3GAC广泛应用于以下领域：
1. 无线通信设备，如基站、路由器和移动终端中的滤波和耦合功能。
2. 射频模块，包括蓝牙、Wi-Fi和Zigbee等无线协议中的匹配网络。
3. 振荡器和滤波器电路中的关键元件。
4. 高速数据传输系统中的信号完整性优化。
5. 工业控制设备中的高频旁路和去耦功能。
6. 医疗电子设备和消费类电子产品中的高性能滤波需求。
CBR04C508A3GACT, CBR06C508A3GAC
