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CBR02C189A3GAC 发布时间 时间:2025/7/8 20:43:51 查看 阅读:18

CBR02C189A3GAC 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,由知名半导体制造商生产。该型号适用于高频、高效率的功率转换场景,其设计结合了低正向电压降和快速恢复时间的特点,非常适合于开关电源、DC-DC转换器以及其他电力电子应用中。碳化硅材料的应用使得该二极管在高温环境下的性能更加稳定,同时具备更高的耐压能力。

参数

类型:肖特基二极管
  最大反向电压:1200V
  最大正向电流:2A
  正向电压降:1.5V(典型值,@25°C,IF=2A)
  结电容:10pF
  反向恢复时间:5ns
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220AC

特性

CBR02C189A3GAC 的主要特性包括以下几点:
  1. 使用碳化硅材料制造,能够提供更高的效率和更好的热性能。
  2. 极低的反向恢复时间使其适合高频开关应用。
  3. 高达1200V的反向耐压能力,确保其在高压环境中的可靠性。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在高达175°C的工作温度下正常运行。
  5. 封装采用标准TO-220AC形式,便于安装和散热管理。
  6. 正向电压较低,有助于减少导通损耗并提高系统效率。

应用

这款肖特基二极管广泛应用于各种高功率密度和高效能要求的场景中,具体应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 太阳能逆变器中的功率变换模块。
  4. 电动汽车充电桩和其他工业设备中的高频功率转换。
  5. 电机驱动电路中的保护和能量回收部分。
  由于其优异的高频特性和高温稳定性,CBR02C189A3GAC 成为许多现代电力电子设计中的首选元件。

替代型号

CBR02C189A3GACD, CBR02C189A3GACE, CBR02C189A3GACF

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CBR02C189A3GAC参数

  • 数据列表CBR02C189A3GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容1.8pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-