时间：2025/7/11 13:10:26
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FED4E20180070R101JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效率和低功耗的应用场景设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理和功率转换场合。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及出色的热性能，使其能够满足工业、汽车和消费电子领域对高效能功率管理的需求。
型号：FED4E20180070R101JT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：650V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：12A
导通电阻(R_DS(on))：0.18Ω
总功耗(P_TOT)：175W
结温范围(T_J)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），可显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力，支持高频应用。
4. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠工作。
5. 采用 TO-247 封装，便于散热设计和安装。
6. 提供优异的 ESD 和浪涌保护功能，提高系统可靠性。
FED4E20180070R101JT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 工业控制设备中的功率管理模块。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 汽车电子系统的电源控制单元。
6. 各类家电产品的高效能电源设计。
FED4E20180070R101JTR,
FED4E20180070R101JP,
FED4E20180070R101JS
