时间：2025/12/10 15:12:49
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CBR02C130F3GAC 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），属于宽带隙半导体器件。它具有高频、高效和高温工作的特点，广泛应用于射频功率放大器、通信系统以及雷达等领域。
该型号是 Cree（现为 Wolfspeed）推出的增强型 GaN HEMT 系列的一部分，采用 0.25 微米栅极工艺制造，支持高频工作环境下的高性能表现。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：+6V/-4V
漏极饱和电流：7A
输出功率密度：10W/mm
增益：15dB
频率范围：DC - 6GHz
热阻：0.3°C/W
封装类型：陶瓷气密封装
CBR02C130F3GAC 的主要特点是其高频性能和高功率密度。该器件在高达 6GHz 的频率范围内表现出色，并且能够在高压条件下提供稳定的输出功率。
此外，由于采用了氮化镓材料，这款晶体管具备出色的热性能和可靠性，使其适合长时间高温运行。
该器件还具有较低的寄生电容和电阻，从而减少信号失真并提高效率。
另外，增强型设计确保了其在正向栅极电压下导通，在负向栅极电压下可靠关断，增强了电路的安全性和稳定性。
CBR02C130F3GAC 广泛应用于射频功率放大器领域，包括无线通信基础设施、点对点无线电链路、卫星通信和军事雷达等。
其高频和高功率特性也使其成为测试与测量设备的理想选择，例如矢量信号发生器和频谱分析仪中的功率放大模块。
此外，该器件还可用于航空航天和国防领域的高性能电子系统中，如电子战系统和相控阵天线驱动。
CBR02C130F2GAC, CBR02C130F4GAC
