时间：2025/7/14 19:00:54
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CBR02C120F3GAC 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET 芯片，主要用于高功率、高频和高温应用场景。该芯片采用先进的碳化硅技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能。其封装形式通常为表面贴装器件 (SMD)，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车驱动系统以及通信电源等领域。
由于其材料特性，CBR02C120F3GAC 在耐压能力、效率提升以及减小整体系统体积方面表现优异，同时具备较强的抗电磁干扰能力。
型号：CBR02C120F3GAC
类型：碳化硅 (SiC) MOSFET
额定电压：1200V
额定电流：2A
导通电阻：80mΩ（典型值）
栅极电荷：5nC（最大值）
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SMD
CBR02C120F3GAC 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达 1200V 的电压，适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（80mΩ 典型值），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度和低栅极电荷（5nC 最大值），能够显著减少开关损耗。
4. 支持高频操作（高达 1MHz），使设计更加紧凑，减少了对大型无源元件的需求。
5. 宽温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端温度条件下的工作需求。
6. 表面贴装封装，易于集成到 PCB 板中，同时节省空间。
7. 出色的热性能和可靠性，延长了设备的使用寿命。
8. 抗电磁干扰能力强，确保在复杂电磁环境下稳定运行。
CBR02C120F3GAC 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：如开关电源、不间断电源 (UPS) 等。
2. 新能源领域：太阳能逆变器、风力发电系统的电力转换。
3. 电动车与混合动力车：电机驱动控制器、车载充电器。
4. 通信设备：基站电源、DC/DC 转换器。
5. 高频谐振电路：如无线充电器、感应加热设备。
6. 其他高功率密度和高效能要求的应用场景。
CRB02C120F3GAC, CBS02C120F3GAC
